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IGBT芯片（高度堅固耐用的 SPT+ 芯片）
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| TYPE | VCES | VGES | IC | VCE(SAT) | (EON+EOFF) | TJ | Ptot | Circuit | Technology |
| Volts | Volts | Amps | Volts | mJ | Watts | ||||
| LEP450H17N4-2M | 1700V | ± 20 | 450A | 1.65V | 192 | 175℃ | 2340 | Dual | IGBT 4 (TrenchFS) |
| LEP600H17N4-2M | 1700V | ± 20 | 600A | 1.70V | 255 | 175℃ | 3845 | Dual | |
| LEP450H12X4-2M | 1200V | ± 20 | 450A | 2.10V | 50 | 175℃ | 2250 | Dual | IGBT 4 (AdvancedTrench FS) |
| LEP600H12P4-2M | 1200V | ± 20 | 600A | 1.80V | 89 | 175℃ | 3120 | Dual | |
| LEP300H12E4-2M | 1200V | ± 30 | 300A | 1.65V | 47 | 175℃ | 1610 | Dual | IGBT 4 (TrenchFS) |
| LEP450H12E4-2M | 1200V | ± 30 | 450A | 1.65V | 53 | 175℃ | 2250 | Dual | |
| LEP600H12E4-2M | 1200V | ± 30 | 600A | 1.65V | 110 | 175℃ | 3120 | Dual | |
| LEP450H65E4-2M | 650V | ± 30 | 450A | 1.45V | 25 | 175℃ | 1360 | Dual | IGBT 4 (TrenchFS) |
| LEP600H65E4-2M | 650V | ± 30 | 600A | 1.45V | 43 | 175℃ | 1760 | Dual |
